Proizvođač Broj proizvoda:
FQA8N100C
Product Overview
Proizvođač:
onsemi
Broj dela:
FQA8N100C-DG
Opis:
MOSFET N-CH 1000V 8A TO3PN
Detaljan opis:
N-Channel 1000 V 8A (Tc) 225W (Tc) Through Hole TO-3PN
Inventar:
230 kom. Nova originalna na skladištu
12849016
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
FQA8N100C Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
onsemi
Pakovanje
Tube
Serije
QFET®
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
1000 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
8A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
1.45Ohm @ 4A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
3220 pF @ 25 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
225W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Dobavljač uređaja Paket
TO-3PN
Paket / slučaj
TO-3P-3, SC-65-3
Osnovni broj proizvoda
FQA8
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Dodatne informacije
Standardni paket
30
Ostala imena
FQA8N100C-DG
FQA8N100CFS
2156-FQA8N100C-OS
ONSONSFQA8N100C
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
AOW25S65
MOSFET N-CH 650V 25A TO262
CPH3362-TL-W
MOSFET P-CH 100V 700MA 3CPH
NCV8440STT3G
MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223
