Proizvođač Broj proizvoda:
FQA9N90-F109
Product Overview
Proizvođač:
onsemi
Broj dela:
FQA9N90-F109-DG
Opis:
MOSFET N-CH 900V 8.6A TO3PN
Detaljan opis:
N-Channel 900 V 8.6A (Tc) 240W (Tc) Through Hole TO-3PN
Inventar:
12930668
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
FQA9N90-F109 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
onsemi
Pakovanje
-
Serije
QFET®
Status proizvoda
Obsolete
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
900 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
8.6A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
1.3Ohm @ 4.3A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
72 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
2700 pF @ 25 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
240W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Dobavljač uređaja Paket
TO-3PN
Paket / slučaj
TO-3P-3, SC-65-3
Osnovni broj proizvoda
FQA9
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički listovi
Dodatne informacije
Standardni paket
450
Ostala imena
2832-FQA9N90-F109-488
2156-FQA9N90-F109-OS
FQA9N90_F109
ONSONSFQA9N90-F109
FQA9N90_F109-DG
2832-FQA9N90-F109
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
BROJ DELOVA
2SK1317-E
Proizvođač
Renesas Electronics Corporation
KOLIČINA DOSTUPNA
5608
DiGi BROJ DELOVA
2SK1317-E-DG
JEDINIČNA CENA
3.29
TIP ZAMENE
Similar
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
FCA16N60N
MOSFET N-CH 600V TO-3PN
NVMFS5C680NLWFT1G
MOSFET N-CH 60V 8.1A/21A 5DFN
FQPF6N90C
MOSFET N-CH 900V 6A TO220F
