Proizvođač Broj proizvoda:
FQAF10N80
Product Overview
Proizvođač:
onsemi
Broj dela:
FQAF10N80-DG
Opis:
MOSFET N-CH 800V 6.7A TO3PF
Detaljan opis:
N-Channel 800 V 6.7A (Tc) 113W (Tc) Through Hole TO-3PF
Inventar:
12838310
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
FQAF10N80 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
onsemi
Pakovanje
-
Serije
QFET®
Status proizvoda
Obsolete
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
800 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
6.7A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
1.05Ohm @ 3.35A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
71 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
2700 pF @ 25 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
113W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Dobavljač uređaja Paket
TO-3PF
Paket / slučaj
TO-3P-3 Full Pack
Osnovni broj proizvoda
FQAF1
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
HTML Tehnička dokumentacija
Dodatne informacije
Standardni paket
360
Ekoloska i izvozna klasifikacija
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
FQB34P10TM-F085
MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK
FDMS86183
MOSFET N-CH 100V 51A 8PQFN
FDMS86369-F085
MOSFET N-CH 80V 65A POWER56
