Proizvođač Broj proizvoda:
FQD2N90TM
Product Overview
Proizvođač:
onsemi
Broj dela:
FQD2N90TM-DG
Opis:
MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK
Detaljan opis:
N-Channel 900 V 1.7A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventar:
11464 kom. Nova originalna na skladištu
12930578
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
FQD2N90TM Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
onsemi
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
QFET®
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
900 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
1.7A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
7.2Ohm @ 850mA, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
500 pF @ 25 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
2.5W (Ta), 50W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
TO-252AA
Paket / slučaj
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovni broj proizvoda
FQD2N90
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
Tehnički listovi
HTML Tehnička dokumentacija
Dodatne informacije
Standardni paket
2,500
Ostala imena
FQD2N90TMTR
FQD2N90TM-DG
FQD2N90TMCT
FQD2N90TMDKR
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
HUF76609D3
MOSFET N-CH 100V 10A IPAK
HUFA75307D3ST
MOSFET N-CH 55V 15A TO252AA
AOTF2910L
MOSFET N-CH 100V 22A TO220-3F
