FQI5N80TU

Proizvođač Broj proizvoda:

FQI5N80TU

Product Overview

Proizvođač:

onsemi

Broj dela:

FQI5N80TU-DG

Opis:

MOSFET N-CH 800V 4.8A I2PAK

Detaljan opis:

N-Channel 800 V 4.8A (Tc) 3.13W (Ta), 140W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)

Inventar:

RFQ Online

12851145

Zatraži ponudu

Količina
Minimum 1

(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata

POŠALJI

FQI5N80TU Tehničke specifikacije

Kategorija

FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi

Proizvođač

onsemi

Pakovanje

-

Serije

QFET®

Status proizvoda

Obsolete

FET Tip

N-Channel

Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)

Odvod do izvornog napona (VDS)

800 V

Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C

4.8A (Tc)

Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)

10V

Srs Na (maks) @ id, vgs

2.6Ohm @ 2.4A, 10V

vgs(th) (maks) @ id

5V @ 250µA

Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs

33 nC @ 10 V

Vgs (Maks)

±30V

Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS

1250 pF @ 25 V

FET karakteristika

-

Rasipanje snage (maks)

3.13W (Ta), 140W (Tc)

Radna temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip montaže

Through Hole

Dobavljač uređaja Paket

TO-262 (I2PAK)

Paket / slučaj

TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Osnovni broj proizvoda

FQI5

Tehnička dokumentacija i dokumenti

Tehnički podaci

HTML Tehnička dokumentacija

Dodatne informacije

Standardni paket

1,000

Ekoloska i izvozna klasifikacija

Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Sertifikacija

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Povezani proizvodi

onsemi

FQP5P20

MOSFET P-CH 200V 4.8A TO220-3

infineon-technologies

BSS806NL6327HTSA1

MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3

onsemi

FDN342P

MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3

onsemi

CPH6443-P-TL-H

MOSFET N-CH 35V 6A CPH6