Proizvođač Broj proizvoda:
FQP19N20C_F080
Product Overview
Proizvođač:
onsemi
Broj dela:
FQP19N20C_F080-DG
Opis:
MOSFET N-CH 200V 19A TO220-3
Detaljan opis:
N-Channel 200 V 19A (Tc) 139W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
12850148
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
FQP19N20C_F080 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
onsemi
Pakovanje
-
Serije
QFET®
Status proizvoda
Obsolete
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
200 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
19A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
170mOhm @ 9.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
53 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
1080 pF @ 25 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
139W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Dobavljač uređaja Paket
TO-220-3
Paket / slučaj
TO-220-3
Osnovni broj proizvoda
FQP1
Dodatne informacije
Standardni paket
50
Ekoloska i izvozna klasifikacija
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
BROJ DELOVA
IRF200B211
Proizvođač
Infineon Technologies
KOLIČINA DOSTUPNA
4746
DiGi BROJ DELOVA
IRF200B211-DG
JEDINIČNA CENA
0.51
TIP ZAMENE
Similar
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
FCA36N60NF
MOSFET N-CH 600V 34.9A TO3PN
FDB3652
MOSFET N-CH 100V 9A/61A D2PAK
FDS2734
MOSFET N-CH 250V 3A 8SOIC
