Proizvođač Broj proizvoda:
FQS4900TF
Product Overview
Proizvođač:
onsemi
Broj dela:
FQS4900TF-DG
Opis:
MOSFET N/P-CH 60V 1.3A 8SOIC
Detaljan opis:
Mosfet Array 60V, 300V 1.3A, 300mA 2W Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
12849949
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
FQS4900TF Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, FET, MOSFET nizovi
Proizvođač
onsemi
Pakovanje
-
Serije
QFET®
Status proizvoda
Obsolete
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracija
N and P-Channel
FET karakteristika
-
Odvod do izvornog napona (VDS)
60V, 300V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
1.3A, 300mA
Srs Na (maks) @ id, vgs
550mOhm @ 650mA, 10V
vgs(th) (maks) @ id
1.95V @ 20mA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
2.1nC @ 5V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
-
Snaga - Maks
2W
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Paket / slučaj
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dobavljač uređaja Paket
8-SOIC
Osnovni broj proizvoda
FQS4900
Dodatne informacije
Standardni paket
3,000
Ostala imena
2832-FQS4900TF-488
FQS4900TFDKR
2832-FQS4900TFTR
FQS4900TFTR
FQS4900TF-DG
FQS4900TFCT
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
FDMS001N025DSD
MOSFET 2N-CH 25V 19A 8PQFN
FDY3001NZ
MOSFET 2N-CH 20V 0.2A SOT563F
AON6974A
MOSFET 2N-CH 30V 22A/30A 8DFN
