Proizvođač Broj proizvoda:
FQT1N80TF-WS
Product Overview
Proizvođač:
onsemi
Broj dela:
FQT1N80TF-WS-DG
Opis:
MOSFET N-CH 800V 200MA SOT223-3
Detaljan opis:
N-Channel 800 V 200mA (Tc) 2.1W (Tc) Surface Mount SOT-223-3
Inventar:
12847036
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
FQT1N80TF-WS Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
onsemi
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
QFET®
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
800 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
200mA (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
20Ohm @ 100mA, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
7.2 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
195 pF @ 25 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
2.1W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
SOT-223-3
Paket / slučaj
TO-261-3
Osnovni broj proizvoda
FQT1N80
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
Tehnički listovi
HTML Tehnička dokumentacija
Dodatne informacije
Standardni paket
4,000
Ostala imena
FQT1N80TF_WSTR-DG
FQT1N80TF_WSCT
FQT1N80TF-WSDKR
FQT1N80TF_WSDKR
FQT1N80TF-WSCT
FQT1N80TF_WSTR
FQT1N80TFWS
FQT1N80TF_WSDKR-DG
FQT1N80TF-WSTR
FQT1N80TF_WSCT-DG
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
HUFA76419S3S
MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK
FQD5N20LTM
MOSFET N-CH 200V 3.8A DPAK
HUFA75637S3ST
MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK