NTJD1155LT1G

Proizvođač Broj proizvoda:

NTJD1155LT1G

Product Overview

Proizvođač:

onsemi

Broj dela:

NTJD1155LT1G-DG

Opis:

MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SC88

Detaljan opis:

Mosfet Array 8V 1.3A 400mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363

Inventar:

141507 kom. Nova originalna na skladištu

12856897

Zatraži ponudu

Količina
Minimum 1

(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata

POŠALJI

NTJD1155LT1G Tehničke specifikacije

Kategorija

FET-ovi, MOSFET-ovi, FET, MOSFET nizovi

Proizvođač

onsemi

Pakovanje

Tape & Reel (TR)

Serije

-

Status proizvoda

Active

Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)

Konfiguracija

N and P-Channel

FET karakteristika

-

Odvod do izvornog napona (VDS)

8V

Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C

1.3A

Srs Na (maks) @ id, vgs

175mOhm @ 1.2A, 4.5V

vgs(th) (maks) @ id

1V @ 250µA

Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs

-

Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS

-

Snaga - Maks

400mW

Radna temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip montaže

Surface Mount

Paket / slučaj

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Dobavljač uređaja Paket

SC-88/SC70-6/SOT-363

Osnovni broj proizvoda

NTJD1155

Tehnička dokumentacija i dokumenti

Tehnički podaci

Tehnički listovi

HTML Tehnička dokumentacija

NTJD1155LT1G-DG

Dodatne informacije

Standardni paket

3,000

Ostala imena

NTJD1155LT1GOSTR

ONSNTJD1155LT1G

2156-NTJD1155LT1G-OS

NTJD1155LT1GOSCT

NTJD1155LT1GOSDKR

2832-NTJD1155LT1GTR

Ekoloska i izvozna klasifikacija

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

DIGI Sertifikacija

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Povezani proizvodi

NTL4502NT1

MOSFET 4N-CH 24V 11.4A 16QFN

onsemi

NTZD3152PT1G

MOSFET 2P-CH 20V 430MA SOT563

onsemi

VEC2415-TL-E

MOSFET 2N-CH 60V 3A SOT28

onsemi

NVMFD6H840NLWFT1G

MOSFET 2N-CH 80V 14A/74A 8DFN