Proizvođač Broj proizvoda:
NTMFD4C86NT1G
Product Overview
Proizvođač:
onsemi
Broj dela:
NTMFD4C86NT1G-DG
Opis:
MOSFET 2N-CH 30V 11.3A 8DFN
Detaljan opis:
Mosfet Array 30V 11.3A, 18.1A 1.1W Surface Mount 8-DFN (5x6)
Inventar:
12847842
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
NTMFD4C86NT1G Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, FET, MOSFET nizovi
Proizvođač
onsemi
Pakovanje
-
Serije
-
Status proizvoda
Obsolete
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracija
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET karakteristika
-
Odvod do izvornog napona (VDS)
30V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
11.3A, 18.1A
Srs Na (maks) @ id, vgs
5.4mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.2V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
22.2nC @ 10V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
1153pF @ 15V
Snaga - Maks
1.1W
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Paket / slučaj
8-PowerTDFN
Dobavljač uređaja Paket
8-DFN (5x6)
Osnovni broj proizvoda
NTMFD4
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
HTML Tehnička dokumentacija
Dodatne informacije
Standardni paket
1,500
Ostala imena
ONSONSNTMFD4C86NT1G
NTMFD4C86NT1GOSCT
NTMFD4C86NT1GOSTR
NTMFD4C86NT1GOSDKR
NTMFD4C86NT1G-DG
2156-NTMFD4C86NT1G-ONTR
Ekoloska i izvozna klasifikacija
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
NVMD6N03R2G
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
NTLJD3183CZTAG
MOSFET N/P-CH 20V 2.6A 6WDFN
FDG6304P
MOSFET 2P-CH 25V 0.41A SC88
