NTMT125N65S3H
Proizvođač Broj proizvoda:

NTMT125N65S3H

Product Overview

Proizvođač:

onsemi

Broj dela:

NTMT125N65S3H-DG

Opis:

POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Detaljan opis:
N-Channel 650 V 24A (Tc) 171W (Tc) Surface Mount 4-TDFN (8x8)

Inventar:

3000 kom. Nova originalna na skladištu
12964910
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI

NTMT125N65S3H Tehničke specifikacije

Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
onsemi
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
SuperFET® III
Status proizvoda
Not For New Designs
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
650 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
24A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
125mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 2.1mA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
2200 pF @ 400 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
171W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
4-TDFN (8x8)
Paket / slučaj
4-PowerTSFN

Tehnička dokumentacija i dokumenti

Tehnički podaci
Tehnički listovi
HTML Tehnička dokumentacija

Dodatne informacije

Standardni paket
3,000
Ostala imena
488-NTMT125N65S3HTR
488-NTMT125N65S3HDKR
488-NTMT125N65S3HCT

Ekoloska i izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
onsemi

NTBGS004N10G

POWER MOSFET 203 AMPS, 100 VOLTS

panjit

PJA3456E_R1_00001

SOT-23, MOSFET

panjit

PJA3441_R1_00001

SOT-23, MOSFET

toshiba-semiconductor-and-storage

TPH1R204PL1,LQ

UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ