Proizvođač Broj proizvoda:

NTTFD022N10C

Product Overview

Proizvođač:

onsemi

Broj dela:

NTTFD022N10C-DG

Opis:

MOSFET 2N-CH 100V 6A/24A 12WQFN

Detaljan opis:

Mosfet Array 100V 6A (Ta), 24A (Tc) 1.7W (Ta), 26W (Tc) Surface Mount 12-WQFN (3.3x3.3)

Inventar:

RFQ Online

12973709

Zatraži ponudu

Količina
Minimum 1

(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata

POŠALJI

NTTFD022N10C Tehničke specifikacije

Kategorija

FET-ovi, MOSFET-ovi, FET, MOSFET nizovi

Proizvođač

onsemi

Pakovanje

Tape & Reel (TR)

Serije

-

Status proizvoda

Active

Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)

Konfiguracija

2 N-Channel (Dual)

FET karakteristika

-

Odvod do izvornog napona (VDS)

100V

Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C

6A (Ta), 24A (Tc)

Srs Na (maks) @ id, vgs

25mOhm @ 7.8A, 10V

vgs(th) (maks) @ id

4V @ 44µA

Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs

9nC @ 10V

Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS

585pF @ 50V

Snaga - Maks

1.7W (Ta), 26W (Tc)

Radna temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip montaže

Surface Mount

Paket / slučaj

12-PowerWQFN

Dobavljač uređaja Paket

12-WQFN (3.3x3.3)

Osnovni broj proizvoda

NTTFD022

Tehnička dokumentacija i dokumenti

Tehnički podaci

Tehnički listovi

HTML Tehnička dokumentacija

NTTFD022N10C-DG

Dodatne informacije

Standardni paket

3,000

Ostala imena

488-NTTFD022N10CDKR

488-NTTFD022N10CCT

488-NTTFD022N10CTR

2832-NTTFD022N10CTR

Ekoloska i izvozna klasifikacija

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Sertifikacija

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Povezani proizvodi

panjit

PJX8603_R1_00001

MOSFET N/P-CH 50V/60V SOT563

panjit

PJX8804_R1_00001

MOSFET 2N-CH 30V 0.6A SOT563

microchip-technology

MSCSM120AM50CT1AG

SIC 2N-CH 1200V 55A SP1F

onsemi

FDG6332C-PG

MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC88