Proizvođač Broj proizvoda:
NVD5890NLT4G-VF01
Product Overview
Proizvođač:
onsemi
Broj dela:
NVD5890NLT4G-VF01-DG
Opis:
NFET DPAK 40V 123A 3.7MOH
Detaljan opis:
N-Channel 40 V 24A (Ta), 123A (Tc) 4W (Ta), 107W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventar:
12972924
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
NVD5890NLT4G-VF01 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
onsemi
Pakovanje
-
Serije
-
Status proizvoda
Obsolete
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
40 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
24A (Ta), 123A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
4.5V, 10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
3.7mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.5V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
84 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
4760 pF @ 25 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
4W (Ta), 107W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Razredu
Automotive
Kvalifikacije
AEC-Q101
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
DPAK
Paket / slučaj
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Dodatne informacije
Standardni paket
2,500
Ostala imena
488-NVD5890NLT4G-VF01TR
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
PJD7NA65_R2_00001
650V N-CHANNEL MOSFET
PJD50N10AL_L2_00001
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
PJD45P04_L2_00001
40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
