NVH4L045N065SC1
Proizvođač Broj proizvoda:

NVH4L045N065SC1

Product Overview

Proizvođač:

onsemi

Broj dela:

NVH4L045N065SC1-DG

Opis:

SIC MOS TO247-4L 650V
Detaljan opis:
N-Channel 650 V 55A (Tc) 187W (Tc) Through Hole TO-247-4L

Inventar:

445 kom. Nova originalna na skladištu
12972563
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI

NVH4L045N065SC1 Tehničke specifikacije

Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
onsemi
Pakovanje
Tube
Serije
-
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
SiCFET (Silicon Carbide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
650 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
55A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
15V, 18V
Srs Na (maks) @ id, vgs
50mOhm @ 25A, 18V
vgs(th) (maks) @ id
4.3V @ 8mA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
105 nC @ 18 V
Vgs (Maks)
+22V, -8V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
1870 pF @ 325 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
187W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Razredu
Automotive
Kvalifikacije
AEC-Q101
Tip montaže
Through Hole
Dobavljač uređaja Paket
TO-247-4L
Paket / slučaj
TO-247-4

Tehnička dokumentacija i dokumenti

Tehnički podaci
NVH4L045N065SC1
Tehnički listovi
NVH4L045N065SC1
HTML Tehnička dokumentacija
NVH4L045N065SC1-DG

Dodatne informacije

Standardni paket
30
Ostala imena
488-NVH4L045N065SC1

Ekoloska i izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Povezani proizvodi
panjit

PJD50N04-AU_L2_000A1

40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

panjit

PJP10NA60_T0_00001

600V N-CHANNEL MOSFET

panjit

PJD45P04-AU_L2_000A1

40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

panjit

PJD2NA60_R2_00001

600V N-CHANNEL MOSFET