Proizvođač Broj proizvoda:
NVHL080N120SC1A
Product Overview
Proizvođač:
onsemi
Broj dela:
NVHL080N120SC1A-DG
Opis:
SICFET N-CH 1200V 31A TO247-3
Detaljan opis:
N-Channel 1200 V 31A (Tc) 178W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventar:
890 kom. Nova originalna na skladištu
12938801
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
NVHL080N120SC1A Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
onsemi
Pakovanje
Tube
Serije
-
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
SiCFET (Silicon Carbide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
1200 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
31A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
20V
Srs Na (maks) @ id, vgs
110mOhm @ 20A, 20V
vgs(th) (maks) @ id
4.3V @ 5mA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
56 nC @ 20 V
Vgs (Maks)
+25, -15V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
1670 pF @ 800 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
178W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Razredu
Automotive
Kvalifikacije
AEC-Q101
Tip montaže
Through Hole
Dobavljač uređaja Paket
TO-247-3
Paket / slučaj
TO-247-3
Osnovni broj proizvoda
NVHL080
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
Tehnički listovi
HTML Tehnička dokumentacija
Dodatne informacije
Standardni paket
30
Ostala imena
488-NVHL080N120SC1A
2156-NVHL080N120SC1A
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
MCH6424-TL-E
N-CHANNEL SILICON MOSFET
NTMFS6H864NLT1G
MOSFET N-CH 80V 7A/22A 5DFN
MGSF3441VT1
P-CHANNEL MOSFET
