Proizvođač Broj proizvoda:
NVMD6P02R2G
Product Overview
Proizvođač:
onsemi
Broj dela:
NVMD6P02R2G-DG
Opis:
MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
Detaljan opis:
Mosfet Array 20V 4.8A 750mW Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
12842275
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
NVMD6P02R2G Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, FET, MOSFET nizovi
Proizvođač
onsemi
Pakovanje
-
Serije
-
Status proizvoda
Obsolete
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracija
2 P-Channel (Dual)
FET karakteristika
Logic Level Gate
Odvod do izvornog napona (VDS)
20V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
4.8A
Srs Na (maks) @ id, vgs
33mOhm @ 6.2A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1.2V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
35nC @ 4.5V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
1700pF @ 16V
Snaga - Maks
750mW
Radna temperatura
-
Razredu
Automotive
Kvalifikacije
AEC-Q101
Tip montaže
Surface Mount
Paket / slučaj
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dobavljač uređaja Paket
8-SOIC
Osnovni broj proizvoda
NVMD6
Dodatne informacije
Standardni paket
2,500
Ostala imena
2156-NVMD6P02R2G-OS
ONSONSNVMD6P02R2G
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
MCH6663-TL-H
MOSFET N/P-CH 30V 1.8A 6MCPH
NTMFD5C650NLT1G
MOSFET 2N-CH 60V 21A/111A 8DFN
NTGD3133PT1G
MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6TSOP
