Proizvođač Broj proizvoda:
NVMFWS2D3P04M8LT1G
Product Overview
Proizvođač:
onsemi
Broj dela:
NVMFWS2D3P04M8LT1G-DG
Opis:
MV8 P INITIAL PROGRAM
Detaljan opis:
P-Channel 40 V 31A (Ta), 222A (Tc) 3.8W (Ta), 205W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Inventar:
12974609
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
NVMFWS2D3P04M8LT1G Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
onsemi
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Status proizvoda
Active
FET Tip
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
40 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
31A (Ta), 222A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
4.5V, 10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
2.2mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.4V @ 2.7mA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
157 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
5985 pF @ 20 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
3.8W (Ta), 205W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Razredu
Automotive
Kvalifikacije
AEC-Q101
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paket / slučaj
8-PowerTDFN, 5 Leads
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
Tehnički listovi
HTML Tehnička dokumentacija
Dodatne informacije
Standardni paket
1,500
Ostala imena
488-NVMFWS2D3P04M8LT1GDKR
488-NVMFWS2D3P04M8LT1GTR
488-NVMFWS2D3P04M8LT1GCT
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
BROJ DELOVA
NVMFS2D3P04M8LT1G
Proizvođač
onsemi
KOLIČINA DOSTUPNA
95
DiGi BROJ DELOVA
NVMFS2D3P04M8LT1G-DG
JEDINIČNA CENA
1.45
TIP ZAMENE
Parametric Equivalent
BROJ DELOVA
RS1G201ATTB1
Proizvođač
Rohm Semiconductor
KOLIČINA DOSTUPNA
7266
DiGi BROJ DELOVA
RS1G201ATTB1-DG
JEDINIČNA CENA
1.12
TIP ZAMENE
Similar
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
PJMD990N65EC_L2_00001
650V SUPER JUNCITON MOSFET
PJQ4465AP_R2_00001
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
IV1Q12160T4
SIC MOSFET, 1200V 160MOHM, TO-24
