Proizvođač Broj proizvoda:
PJD9N10A_L2_00001
Product Overview
Proizvođač:
Panjit International Inc.
Broj dela:
PJD9N10A_L2_00001-DG
Opis:
100V N-CHANNEL MOSFET
Detaljan opis:
N-Channel 100 V 2.4A (Ta), 9A (Tc) 2W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventar:
11566 kom. Nova originalna na skladištu
12972107
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
PJD9N10A_L2_00001 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
PANJIT
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
100 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
2.4A (Ta), 9A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
4.5V, 10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
152mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.5V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
1021 pF @ 25 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
2W (Ta), 31W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
TO-252
Paket / slučaj
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovni broj proizvoda
PJD9
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički listovi
Dodatne informacije
Standardni paket
3,000
Ostala imena
3757-PJD9N10A_L2_00001TR
3757-PJD9N10A_L2_00001DKR
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
PJD25N10A_L2_00001
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
NTP185N60S5H
MOSFET N-CH 600V 15A TO220-3
PJS6421_S1_00001
20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
