Proizvođač Broj proizvoda:
BSM300C12P3E301
Product Overview
Proizvođač:
Rohm Semiconductor
Broj dela:
BSM300C12P3E301-DG
Opis:
SICFET N-CH 1200V 300A MODULE
Detaljan opis:
N-Channel 1200 V 300A (Tc) 1360W (Tc) Module
Inventar:
13270349
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
BSM300C12P3E301 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
ROHM Semiconductor
Pakovanje
Bulk
Serije
-
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
SiCFET (Silicon Carbide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
1200 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
300A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
-
Srs Na (maks) @ id, vgs
-
vgs(th) (maks) @ id
5.6V @ 80mA
Vgs (Maks)
+22V, -4V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
1500 pF @ 10 V
FET karakteristika
Standard
Rasipanje snage (maks)
1360W (Tc)
Radna temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Dobavljač uređaja Paket
Module
Paket / slučaj
Module
Osnovni broj proizvoda
BSM300
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički listovi
Dodatne informacije
Standardni paket
4
Ostala imena
846-BSM300C12P3E301
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
IPC60R037P7X7SA1
MOSFET N-CH HI POWER WAFER
IPC60R070CFD7X7SA1
MOSFET N-CH HI POWER WAFER
BUZ111SLE3045A
MOSFET N-CH 50V 80A TO263
