Proizvođač Broj proizvoda:
BSM600C12P3G201
Product Overview
Proizvođač:
Rohm Semiconductor
Broj dela:
BSM600C12P3G201-DG
Opis:
SICFET N-CH 1200V 600A MODULE
Detaljan opis:
N-Channel 1200 V 600A (Tc) 2460W (Tc) Chassis Mount Module
Inventar:
13520679
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
BSM600C12P3G201 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
ROHM Semiconductor
Pakovanje
Tray
Serije
-
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
SiCFET (Silicon Carbide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
1200 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
600A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
-
Srs Na (maks) @ id, vgs
-
vgs(th) (maks) @ id
5.6V @ 182mA
Vgs (Maks)
+22V, -4V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
28000 pF @ 10 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
2460W (Tc)
Radna temperatura
175°C (TJ)
Tip montaže
Chassis Mount
Dobavljač uređaja Paket
Module
Paket / slučaj
Module
Osnovni broj proizvoda
BSM600
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički listovi
Dodatne informacije
Standardni paket
4
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
ES6U2T2R
MOSFET N-CH 20V 1.5A 6WEMT
ES6U41T2R
MOSFET N-CH 30V 1.5A 6WEMT
2SK2463T100
MOSFET N-CH 60V 2A MPT3
