Proizvođač Broj proizvoda:
R6009KNX
Product Overview
Proizvođač:
Rohm Semiconductor
Broj dela:
R6009KNX-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM
Detaljan opis:
N-Channel 600 V 9A (Tc) 48W (Tc) Through Hole TO-220FM
Inventar:
13526049
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
R6009KNX Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
ROHM Semiconductor
Pakovanje
Bulk
Serije
-
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
600 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
9A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
535mOhm @ 2.8A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 1mA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
16.5 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
540 pF @ 25 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
48W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Dobavljač uređaja Paket
TO-220FM
Paket / slučaj
TO-220-3 Full Pack
Osnovni broj proizvoda
R6009
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički listovi
Dodatne informacije
Standardni paket
500
Ostala imena
R6009KNXCT
R6009KNXDKR
R6009KNXCT-ND
R6009KNXCTINACTIVE
R6009KNXDKR-ND
R6009KNXDKRINACTIVE
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
BROJ DELOVA
TK560A65Y,S4X
Proizvođač
Toshiba Semiconductor and Storage
KOLIČINA DOSTUPNA
5
DiGi BROJ DELOVA
TK560A65Y,S4X-DG
JEDINIČNA CENA
0.60
TIP ZAMENE
Similar
BROJ DELOVA
IPAW60R600P7SXKSA1
Proizvođač
Infineon Technologies
KOLIČINA DOSTUPNA
1
DiGi BROJ DELOVA
IPAW60R600P7SXKSA1-DG
JEDINIČNA CENA
0.94
TIP ZAMENE
Similar
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
R5207ANDTL
MOSFET N-CH 525V 7A CPT3
RQ3P300BETB1
MOSFET N-CH 100V 10A/36A 8HSMT
QS6U22TR
MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT6
