Proizvođač Broj proizvoda:
RGT8NS65DGC9
Product Overview
Proizvođač:
Rohm Semiconductor
Broj dela:
RGT8NS65DGC9-DG
Opis:
IGBT TRENCH FIELD 650V 8A TO262
Detaljan opis:
IGBT Trench Field Stop 650 V 8 A 65 W Through Hole TO-262
Inventar:
965 kom. Nova originalna na skladištu
13526288
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
RGT8NS65DGC9 Tehničke specifikacije
Kategorija
IGBT-ovi, Jednotični IGBT-ovi
Proizvođač
ROHM Semiconductor
Pakovanje
Tube
Serije
-
Status proizvoda
Active
IGBT Tip
Trench Field Stop
Napon - kolektor odašiljač slom (maks)
650 V
Struja - kolektor (IC) (maks)
8 A
Struja - kolektor impulsni (ICM)
12 A
Vce(on) (maks) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 4A
Snaga - Maks
65 W
Prebacivanje energije
-
Tip ulaza
Standard
Kapija punjenja
13.5 nC
Td (uključivanje/isključivanje) @ 25°C
17ns/69ns
Uslov testa
400V, 4A, 50Ohm, 15V
Obrnuto vreme oporavka (trr)
40 ns
Radna temperatura
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Paket / slučaj
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Dobavljač uređaja Paket
TO-262
Osnovni broj proizvoda
RGT8NS65
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički listovi
Dodatne informacije
Standardni paket
50
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
RGTH80TS65DGC11
IGBT TRNCH FIELD 650V 70A TO247N
RGPR20NS43HRTL
IGBT 460V 20A IGNITION LPDS
RGTV60TK65GVC11
IGBT TRNCH FIELD 650V 33A TO3PFM