Proizvođač Broj proizvoda:
RQ3E180GNTB
Product Overview
Proizvođač:
Rohm Semiconductor
Broj dela:
RQ3E180GNTB-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 18A 8HSMT
Detaljan opis:
N-Channel 30 V 18A (Ta), 39A (Tc) 2W (Ta), 20W (Tc) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
Inventar:
4770 kom. Nova originalna na skladištu
13526567
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
RQ3E180GNTB Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
ROHM Semiconductor
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
30 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
18A (Ta), 39A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
4.5V, 10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
4.3mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.5V @ 1mA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
22.4 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
1520 pF @ 15 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
2W (Ta), 20W (Tc)
Radna temperatura
150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
8-HSMT (3.2x3)
Paket / slučaj
8-PowerVDFN
Osnovni broj proizvoda
RQ3E180
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički listovi
Dodatne informacije
Standardni paket
3,000
Ostala imena
RQ3E180GNTBTR
RQ3E180GNTBDKR
RQ3E180GNTBCT
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
RD3G500GNTL
MOSFET N-CH 40V 50A TO252
RXH125N03TB1
MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOP
R6025ANZC8
MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF
