Proizvođač Broj proizvoda:
RS3E180ATTB1
Product Overview
Proizvođač:
Rohm Semiconductor
Broj dela:
RS3E180ATTB1-DG
Opis:
MOSFET P-CH 30V 18A 8SOP
Detaljan opis:
P-Channel 30 V 18A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 8-SOP
Inventar:
3328 kom. Nova originalna na skladištu
13526911
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
RS3E180ATTB1 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
ROHM Semiconductor
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Status proizvoda
Active
FET Tip
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
30 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
18A (Ta)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
4.5V, 10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
5.4mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.5V @ 5mA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
160 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
7200 pF @ 15 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
1.4W (Ta)
Radna temperatura
150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
8-SOP
Paket / slučaj
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Osnovni broj proizvoda
RS3E
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički listovi
Dodatne informacije
Standardni paket
2,500
Ostala imena
RS3E180ATTB1DKR
RS3E180ATTB1CT
RS3E180ATTB1TR
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
SCT2H12NYTB
SICFET N-CH 1700V 4A TO268
RJ1U330AAFRGTL
MOSFET N-CH 250V 33A LPTS
RQ5E015RPTL
MOSFET P-CH 30V 1.5A TSMT3
