Proizvođač Broj proizvoda:
RS6R060BHTB1
Product Overview
Proizvođač:
Rohm Semiconductor
Broj dela:
RS6R060BHTB1-DG
Opis:
NCH 150V 60A, HSOP8, POWER MOSFE
Detaljan opis:
N-Channel 150 V 60A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
Inventar:
4875 kom. Nova originalna na skladištu
12988123
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
RS6R060BHTB1 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
ROHM Semiconductor
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
150 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
60A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
6V, 10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
21.8mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 1mA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
2750 pF @ 75 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
104W (Tc)
Radna temperatura
150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
8-HSOP
Paket / slučaj
8-PowerTDFN
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički listovi
Dodatne informacije
Standardni paket
2,500
Ostala imena
846-RS6R060BHTB1CT
846-RS6R060BHTB1DKR
846-RS6R060BHTB1TR
Ekoloska i izvozna klasifikacija
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
G20P06K
P-60V, -20A,RD<45M@-10V,VTH-2V~-
IPDQ60R040S7XTMA1
HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
TK2P90E,RQ
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
