Proizvođač Broj proizvoda:
RUS100N02TB
Product Overview
Proizvođač:
Rohm Semiconductor
Broj dela:
RUS100N02TB-DG
Opis:
MOSFET N-CH 20V 10A 8SOP
Detaljan opis:
N-Channel 20 V 10A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOP
Inventar:
138 kom. Nova originalna na skladištu
13527495
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
RUS100N02TB Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
ROHM Semiconductor
Pakovanje
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serije
-
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
20 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
10A (Ta)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Srs Na (maks) @ id, vgs
12mOhm @ 10A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1V @ 1mA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
24 nC @ 4.5 V
Vgs (Maks)
±10V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
2250 pF @ 10 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
2W (Ta)
Radna temperatura
150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
8-SOP
Paket / slučaj
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Osnovni broj proizvoda
RUS100
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički listovi
Dodatne informacije
Standardni paket
2,500
Ostala imena
RUS100N02TBDKR
RUS100N02TBCT
RUS100N02TBTR
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
BROJ DELOVA
DMN2009LSS-13
Proizvođač
Diodes Incorporated
KOLIČINA DOSTUPNA
1816
DiGi BROJ DELOVA
DMN2009LSS-13-DG
JEDINIČNA CENA
0.22
TIP ZAMENE
Similar
BROJ DELOVA
RS3E135BNGZETB
Proizvođač
Rohm Semiconductor
KOLIČINA DOSTUPNA
2565
DiGi BROJ DELOVA
RS3E135BNGZETB-DG
JEDINIČNA CENA
0.36
TIP ZAMENE
Similar
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
RCX200N20
MOSFET N-CH 200V 20A TO220FM
RV2C010UNT2L
MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006-3
SCT3105KLGC11
SICFET N-CH 1200V 24A TO247N
