SCT2H12NZGC11
Proizvođač Broj proizvoda:

SCT2H12NZGC11

Product Overview

Proizvođač:

Rohm Semiconductor

Broj dela:

SCT2H12NZGC11-DG

Opis:

SICFET N-CH 1700V 3.7A TO3PFM
Detaljan opis:
N-Channel 1700 V 3.7A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-3PFM

Inventar:

2461 kom. Nova originalna na skladištu
13526754
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI

SCT2H12NZGC11 Tehničke specifikacije

Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
ROHM Semiconductor
Pakovanje
Tube
Serije
-
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
SiCFET (Silicon Carbide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
1700 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
3.7A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
18V
Srs Na (maks) @ id, vgs
1.5Ohm @ 1.1A, 18V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 900µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
14 nC @ 18 V
Vgs (Maks)
+22V, -6V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
184 pF @ 800 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
35W (Tc)
Radna temperatura
175°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Dobavljač uređaja Paket
TO-3PFM
Paket / slučaj
TO-3PFM, SC-93-3
Osnovni broj proizvoda
SCT2H12

Tehnička dokumentacija i dokumenti

Dokumenti o pouzdanosti
MOS-2GTHD Reliability Test
Resursi za dizajn
TO-3PFM Inner Structure
Tehnički listovi
SCT2H12NZGC11 TO-3PFM Taping Spec

Dodatne informacije

Standardni paket
30

Ekoloska i izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Povezani proizvodi
rohm-semi

RD3P175SNTL1

MOSFET N-CH 100V 17.5A TO252

rohm-semi

R6046ANZC8

MOSFET N-CH 600V 46A TO3PF

rohm-semi

QS5U16TR

MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5

rohm-semi

R5205CNDTL

MOSFET N-CH 525V 5A CPT3