Proizvođač Broj proizvoda:
IRF630
Product Overview
Proizvođač:
STMicroelectronics
Broj dela:
IRF630-DG
Opis:
MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Detaljan opis:
N-Channel 200 V 9A (Tc) 75W (Tc) Through Hole TO-220
Inventar:
14506 kom. Nova originalna na skladištu
12874665
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
IRF630 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
STMicroelectronics
Pakovanje
Tube
Serije
MESH OVERLAY™ II
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
200 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
9A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
400mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
700 pF @ 25 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
75W (Tc)
Radna temperatura
-65°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Dobavljač uređaja Paket
TO-220
Paket / slučaj
TO-220-3
Osnovni broj proizvoda
IRF6
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički listovi
Dodatne informacije
Standardni paket
50
Ostala imena
497-2757-5
497-2757-5-NDR
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
STFW45N65M5
MOSFET N-CH 650V 35A ISOWATT
BUK9C2R2-60EJ
MOSFET N-CH 60V D2PAK-7
STF7N65M6
MOSFET N-CH 650V 5A TO220FP
