Proizvođač Broj proizvoda:
RN1106MFV,L3F
Product Overview
Proizvođač:
Toshiba Semiconductor and Storage
Broj dela:
RN1106MFV,L3F-DG
Opis:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Detaljan opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM
Inventar:
53233 kom. Nova originalna na skladištu
12891576
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
RN1106MFV,L3F Tehničke specifikacije
Kategorija
Bipolarni (BJT), Jednostruki, prethodno biasirani bipolarni tranzistori
Proizvođač
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Status proizvoda
Active
Tranzistor Tip
NPN - Pre-Biased
Struja - kolektor (IC) (maks)
100 mA
Napon - kolektor odašiljač slom (maks)
50 V
Otpornik - Baza (R1)
4.7 kOhms
Otpornik - Emiter baza (R2)
47 kOhms
DЦ struja Dobitak (hFE) (min) @ Iц, Vцe
80 @ 10mA, 5V
Vce Zasićenje (maks) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 5mA
Struja - kolektor prekid (maks)
500nA
Snaga - Maks
150 mW
Tip montaže
Surface Mount
Paket / slučaj
SOT-723
Dobavljač uređaja Paket
VESM
Osnovni broj proizvoda
RN1106
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički listovi
Dodatne informacije
Standardni paket
8,000
Ostala imena
RN1106MFV,L3F(T
RN1106MFVL3F-DG
RN1106MFV,L3F(B
RN1106MFVL3F(B
RN1106MFVL3F(T
RN1106MFVL3FDKR
RN1106MFVL3F
RN1106MFVL3FTR
RN1106MFVL3FCT
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
RN1309(TE85L,F)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
RN1404S,LF
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
DDTC123YKA-7-F
TRANS PREBIAS NPN 50V SC59-3
