RN1705,LF
Proizvođač Broj proizvoda:

RN1705,LF

Product Overview

Proizvođač:

Toshiba Semiconductor and Storage

Broj dela:

RN1705,LF-DG

Opis:

NPNX2 BRT Q1BSR2.2KOHM Q1BER47KO
Detaljan opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount USV

Inventar:

8878 kom. Nova originalna na skladištu
12890248
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI

RN1705,LF Tehničke specifikacije

Kategorija
Bipolarni (BJT), Bipolarni tranzistori u nizovima, prethodno polarizovani
Proizvođač
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Status proizvoda
Active
Tranzistor Tip
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Struja - kolektor (IC) (maks)
100mA
Napon - kolektor odašiljač slom (maks)
50V
Otpornik - Baza (R1)
2.2kOhms
Otpornik - Emiter baza (R2)
47kOhms
DЦ struja Dobitak (hFE) (min) @ Iц, Vцe
80 @ 10mA, 5V
Vce Zasićenje (maks) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Struja - kolektor prekid (maks)
500nA
Frekvencija - Tranzicija
250MHz
Snaga - Maks
200mW
Tip montaže
Surface Mount
Paket / slučaj
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Dobavljač uređaja Paket
USV
Osnovni broj proizvoda
RN1705

Tehnička dokumentacija i dokumenti

Tehnički listovi

Dodatne informacije

Standardni paket
3,000
Ostala imena
RN1705LFCT
RN1705LFTR
RN1705,LF(T
RN1705LFDKR
RN1705,LF(B

Ekoloska i izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
toshiba-semiconductor-and-storage

RN4606(TE85L,F)

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6

diodes

DCX123JU-7-F

TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1908(T5L,F,T)

TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1711JE(TE85L,F)

TRANSISTOR NPN X2 BRT Q1BSR10KOH