Proizvođač Broj proizvoda:
RN1709,LF
Product Overview
Proizvođač:
Toshiba Semiconductor and Storage
Broj dela:
RN1709,LF-DG
Opis:
NPNX2 BRT Q1BSR47KOHM Q1BER22KOH
Detaljan opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount USV
Inventar:
3000 kom. Nova originalna na skladištu
12891333
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
RN1709,LF Tehničke specifikacije
Kategorija
Bipolarni (BJT), Bipolarni tranzistori u nizovima, prethodno polarizovani
Proizvođač
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Status proizvoda
Active
Tranzistor Tip
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Struja - kolektor (IC) (maks)
100mA
Napon - kolektor odašiljač slom (maks)
50V
Otpornik - Baza (R1)
47kOhms
Otpornik - Emiter baza (R2)
22kOhms
DЦ struja Dobitak (hFE) (min) @ Iц, Vцe
70 @ 10mA, 5V
Vce Zasićenje (maks) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Struja - kolektor prekid (maks)
500nA
Frekvencija - Tranzicija
250MHz
Snaga - Maks
200mW
Tip montaže
Surface Mount
Paket / slučaj
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Dobavljač uređaja Paket
USV
Osnovni broj proizvoda
RN1709
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički listovi
Dodatne informacije
Standardni paket
3,000
Ostala imena
RN1709LFCT
RN1709LFTR
RN1709LFDKR
RN1709,LF(B
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
RN1962FE(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
RN1503(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
RN1704,LF
NPNX2 BRT Q1BSR47KOHM Q1BER47KOH
