RN1961FE(TE85L,F)
Proizvođač Broj proizvoda:

RN1961FE(TE85L,F)

Product Overview

Proizvođač:

Toshiba Semiconductor and Storage

Broj dela:

RN1961FE(TE85L,F)-DG

Opis:

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Detaljan opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6

Inventar:

12891640
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI

RN1961FE(TE85L,F) Tehničke specifikacije

Kategorija
Bipolarni (BJT), Bipolarni tranzistori u nizovima, prethodno polarizovani
Proizvođač
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakovanje
-
Serije
-
Status proizvoda
Obsolete
Tranzistor Tip
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Struja - kolektor (IC) (maks)
100mA
Napon - kolektor odašiljač slom (maks)
50V
Otpornik - Baza (R1)
4.7kOhms
Otpornik - Emiter baza (R2)
4.7kOhms
DЦ struja Dobitak (hFE) (min) @ Iц, Vцe
30 @ 10mA, 5V
Vce Zasićenje (maks) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Struja - kolektor prekid (maks)
100nA (ICBO)
Frekvencija - Tranzicija
250MHz
Snaga - Maks
100mW
Tip montaže
Surface Mount
Paket / slučaj
SOT-563, SOT-666
Dobavljač uređaja Paket
ES6
Osnovni broj proizvoda
RN1961

Dodatne informacije

Standardni paket
4,000
Ostala imena
RN1961FE(TE85LF)DKR
RN1961FE(TE85LF)TR
RN1961FE(TE85LF)CT
RN1961FETE85LF

Ekoloska i izvozna klasifikacija

Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
toshiba-semiconductor-and-storage

RN1704JE(TE85L,F)

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV

diodes

DCX124EU-7

TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363

toshiba-semiconductor-and-storage

RN2904,LF(CT

TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1508(TE85L,F)

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV