RN2104MFV,L3F
Proizvođač Broj proizvoda:

RN2104MFV,L3F

Product Overview

Proizvođač:

Toshiba Semiconductor and Storage

Broj dela:

RN2104MFV,L3F-DG

Opis:

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Detaljan opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW Surface Mount VESM

Inventar:

RFQ Online
12890726
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
Oe0S
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI

RN2104MFV,L3F Tehničke specifikacije

Kategorija
Bipolarni (BJT), Jednostruki, prethodno biasirani bipolarni tranzistori
Proizvođač
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakovanje
-
Serije
-
Status proizvoda
Active
Tranzistor Tip
PNP - Pre-Biased
Struja - kolektor (IC) (maks)
100 mA
Napon - kolektor odašiljač slom (maks)
50 V
Otpornik - Baza (R1)
47 kOhms
Otpornik - Emiter baza (R2)
47 kOhms
DЦ struja Dobitak (hFE) (min) @ Iц, Vцe
80 @ 10mA, 5V
Vce Zasićenje (maks) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 5mA
Struja - kolektor prekid (maks)
500nA
Frekvencija - Tranzicija
250 MHz
Snaga - Maks
150 mW
Tip montaže
Surface Mount
Paket / slučaj
SOT-723
Dobavljač uređaja Paket
VESM
Osnovni broj proizvoda
RN2104

Tehnička dokumentacija i dokumenti

Tehnički listovi
RN2101-06MFV

Dodatne informacije

Standardni paket
8,000
Ostala imena
RN2104MFVL3F

Ekoloska i izvozna klasifikacija

RoHS Status
RoHS Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI Sertifikacija
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Povezani proizvodi
toshiba-semiconductor-and-storage

RN1417,LF

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI

toshiba-semiconductor-and-storage

RN2411,LF

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI

toshiba-semiconductor-and-storage

RN2108MFV,L3F

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM

toshiba-semiconductor-and-storage

RN2105MFV,L3F

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM