RN2107MFV,L3F(CT
Proizvođač Broj proizvoda:

RN2107MFV,L3F(CT

Product Overview

Proizvođač:

Toshiba Semiconductor and Storage

Broj dela:

RN2107MFV,L3F(CT-DG

Opis:

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Detaljan opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM

Inventar:

15980 kom. Nova originalna na skladištu
13275857
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
55hB
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI

RN2107MFV,L3F(CT Tehničke specifikacije

Kategorija
Bipolarni (BJT), Jednostruki, prethodno biasirani bipolarni tranzistori
Proizvođač
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Status proizvoda
Active
Tranzistor Tip
PNP - Pre-Biased
Struja - kolektor (IC) (maks)
100 mA
Napon - kolektor odašiljač slom (maks)
50 V
Otpornik - Baza (R1)
10 kOhms
Otpornik - Emiter baza (R2)
47 kOhms
DЦ struja Dobitak (hFE) (min) @ Iц, Vцe
80 @ 10mA, 5V
Vce Zasićenje (maks) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 5mA
Struja - kolektor prekid (maks)
500nA
Snaga - Maks
150 mW
Tip montaže
Surface Mount
Paket / slučaj
SOT-723
Dobavljač uređaja Paket
VESM
Osnovni broj proizvoda
RN2107

Dodatne informacije

Standardni paket
8,000
Ostala imena
264-RN2107MFVL3F(DKR
264-RN2107MFVL3F(CT
RN2107MFV,L3F(CB
264-RN2107MFVL3F(TR

Ekoloska i izvozna klasifikacija

Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
toshiba-semiconductor-and-storage

RN2119MFV,L3F

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM

toshiba-semiconductor-and-storage

RN2424(TE85L,F)

TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1113,LF(CT

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM

toshiba-semiconductor-and-storage

RN2103MFV,L3F(CT

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM