Proizvođač Broj proizvoda:
RN2710JE(TE85L,F)
Product Overview
Proizvođač:
Toshiba Semiconductor and Storage
Broj dela:
RN2710JE(TE85L,F)-DG
Opis:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Detaljan opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ESV
Inventar:
3611 kom. Nova originalna na skladištu
12891815
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
RN2710JE(TE85L,F) Tehničke specifikacije
Kategorija
Bipolarni (BJT), Bipolarni tranzistori u nizovima, prethodno polarizovani
Proizvođač
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Status proizvoda
Active
Tranzistor Tip
2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Struja - kolektor (IC) (maks)
100mA
Napon - kolektor odašiljač slom (maks)
50V
Otpornik - Baza (R1)
4.7kOhms
Otpornik - Emiter baza (R2)
-
DЦ struja Dobitak (hFE) (min) @ Iц, Vцe
120 @ 1mA, 5V
Vce Zasićenje (maks) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Struja - kolektor prekid (maks)
100nA (ICBO)
Frekvencija - Tranzicija
200MHz
Snaga - Maks
100mW
Tip montaže
Surface Mount
Paket / slučaj
SOT-553
Dobavljač uređaja Paket
ESV
Osnovni broj proizvoda
RN2710
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički listovi
Dodatne informacije
Standardni paket
4,000
Ostala imena
RN2710JE(TE85LF)DKR
RN2710JE(TE85LF)CT
RN2710JE(TE85LF)TR
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
RoHS Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
RN1906(T5L,F,T)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
RN4905FE,LF(CT
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
DCX144EK-7-F
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SC74R
