Proizvođač Broj proizvoda:
RN2906FE(TE85L,F)
Product Overview
Proizvođač:
Toshiba Semiconductor and Storage
Broj dela:
RN2906FE(TE85L,F)-DG
Opis:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Detaljan opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
Inventar:
4000 kom. Nova originalna na skladištu
12889734
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
RN2906FE(TE85L,F) Tehničke specifikacije
Kategorija
Bipolarni (BJT), Bipolarni tranzistori u nizovima, prethodno polarizovani
Proizvođač
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakovanje
Cut Tape (CT)
Serije
-
Status proizvoda
Active
Tranzistor Tip
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Struja - kolektor (IC) (maks)
100mA
Napon - kolektor odašiljač slom (maks)
50V
Otpornik - Baza (R1)
4.7kOhms
Otpornik - Emiter baza (R2)
47kOhms
DЦ struja Dobitak (hFE) (min) @ Iц, Vцe
80 @ 10mA, 5V
Vce Zasićenje (maks) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Struja - kolektor prekid (maks)
100nA (ICBO)
Frekvencija - Tranzicija
200MHz
Snaga - Maks
100mW
Tip montaže
Surface Mount
Paket / slučaj
SOT-563, SOT-666
Dobavljač uređaja Paket
ES6
Osnovni broj proizvoda
RN2906
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički listovi
Dodatne informacije
Standardni paket
4,000
Ostala imena
RN2906FE(TE85LF)CT
RN2906FE(TE85LF)DKR
RN2906FE(TE85LF)TR
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
RoHS Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
RN2901(T5L,F,T)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
RN1965FE(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
RN4901FE,LF(CT
PNP + NPN BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER
