Proizvođač Broj proizvoda:
RN2910FE,LF(CT
Product Overview
Proizvođač:
Toshiba Semiconductor and Storage
Broj dela:
RN2910FE,LF(CT-DG
Opis:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Detaljan opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
Inventar:
4000 kom. Nova originalna na skladištu
12889635
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
RN2910FE,LF(CT Tehničke specifikacije
Kategorija
Bipolarni (BJT), Bipolarni tranzistori u nizovima, prethodno polarizovani
Proizvođač
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Status proizvoda
Active
Tranzistor Tip
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Struja - kolektor (IC) (maks)
100mA
Napon - kolektor odašiljač slom (maks)
50V
Otpornik - Baza (R1)
4.7kOhms
Otpornik - Emiter baza (R2)
-
DЦ struja Dobitak (hFE) (min) @ Iц, Vцe
120 @ 1mA, 5V
Vce Zasićenje (maks) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Struja - kolektor prekid (maks)
100nA (ICBO)
Frekvencija - Tranzicija
200MHz
Snaga - Maks
100mW
Tip montaže
Surface Mount
Paket / slučaj
SOT-563, SOT-666
Dobavljač uređaja Paket
ES6
Osnovni broj proizvoda
RN2910
Dodatne informacije
Standardni paket
4,000
Ostala imena
RN2910FELF(CBDKR
RN2910FE(T5LFT)CT-DG
RN2910FE(T5LFT)DKR
RN2910FE(T5L,F,T)
RN2910FE(T5LFT)DKR-DG
RN2910FE(T5LFT)TR
RN2910FE(T5LFT)TR-DG
RN2910FELF(CTDKR
RN2910FELF(CBCT
RN2910FELF(CTTR
RN2910FELF(CBTR-DG
RN2910FE(T5LFT)CT
RN2910FELF(CBTR
RN2910FELF(CBDKR-DG
RN2910FELF(CTCT
RN2910FELF(CBCT-DG
RN2910FE,LF(CB
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
RN4982FE,LF(CT
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
RN2965(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
RN2907,LF(CT
PNPX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BER47KOH
