RN4989FE,LF(CT
Proizvođač Broj proizvoda:

RN4989FE,LF(CT

Product Overview

Proizvođač:

Toshiba Semiconductor and Storage

Broj dela:

RN4989FE,LF(CT-DG

Opis:

NPN + PNP BRT Q1BSR47KOHM Q1BER2
Detaljan opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 100mW Surface Mount ES6

Inventar:

4000 kom. Nova originalna na skladištu
12889205
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI

RN4989FE,LF(CT Tehničke specifikacije

Kategorija
Bipolarni (BJT), Bipolarni tranzistori u nizovima, prethodno polarizovani
Proizvođač
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Status proizvoda
Active
Tranzistor Tip
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Struja - kolektor (IC) (maks)
100mA
Napon - kolektor odašiljač slom (maks)
50V
Otpornik - Baza (R1)
47kOhms
Otpornik - Emiter baza (R2)
22kOhms
DЦ struja Dobitak (hFE) (min) @ Iц, Vцe
70 @ 10mA, 5V
Vce Zasićenje (maks) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Struja - kolektor prekid (maks)
500nA
Frekvencija - Tranzicija
250MHz, 200MHz
Snaga - Maks
100mW
Tip montaže
Surface Mount
Paket / slučaj
SOT-563, SOT-666
Dobavljač uređaja Paket
ES6
Osnovni broj proizvoda
RN4989

Tehnička dokumentacija i dokumenti

Tehnički listovi

Dodatne informacije

Standardni paket
4,000
Ostala imena
RN4989FELF(CTCT
RN4989FELF(CTTR
RN4989FE,LF(CB
RN4989FELF(CTDKR

Ekoloska i izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
toshiba-semiconductor-and-storage

RN2911(T5L,F,T)

TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

toshiba-semiconductor-and-storage

RN4910(T5L,F,T)

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

toshiba-semiconductor-and-storage

RN4904FE,LF(CT

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1703JE(TE85L,F)

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV