Proizvođač Broj proizvoda:
TJ50S06M3L(T6L1,NQ
Product Overview
Proizvođač:
Toshiba Semiconductor and Storage
Broj dela:
TJ50S06M3L(T6L1,NQ-DG
Opis:
MOSFET P-CH 60V 50A DPAK
Detaljan opis:
P-Channel 60 V 50A (Ta) 90W (Tc) Surface Mount DPAK+
Inventar:
2000 kom. Nova originalna na skladištu
12889173
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
TJ50S06M3L(T6L1,NQ Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
U-MOSVI
Status proizvoda
Active
FET Tip
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
60 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
50A (Ta)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
6V, 10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
13.8mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3V @ 1mA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
124 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
+10V, -20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
6290 pF @ 10 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
90W (Tc)
Radna temperatura
175°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
DPAK+
Paket / slučaj
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovni broj proizvoda
TJ50S06
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički listovi
Dodatne informacije
Standardni paket
2,000
Ostala imena
TJ50S06M3LT6L1NQ
264-TJ50S06M3L(T6L1NQTR
TJ50S06M3L(T6L1NQ
264-TJ50S06M3L(T6L1,NQCT
264-TJ50S06M3L(T6L1,NQDKR
264-TJ50S06M3L(T6L1,NQDKR-DG
264-TJ50S06M3L(T6L1,NQCT-DG
TJ50S06M3L(T6L1NQ-DG
264-TJ50S06M3L(T6L1NQDKR
264-TJ50S06M3L(T6L1NQCT
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
DMT6002LPS-13
MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8
SSM3J66MFV,L3F
MOSFET P-CH 20V 800MA VESM
2SK3466(TE24L,Q)
MOSFET N-CH 500V 5A 4TFP
