Proizvođač Broj proizvoda:
TK35N65W,S1F
Product Overview
Proizvođač:
Toshiba Semiconductor and Storage
Broj dela:
TK35N65W,S1F-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 35A TO247
Detaljan opis:
N-Channel 650 V 35A (Ta) 270W (Tc) Through Hole TO-247
Inventar:
15 kom. Nova originalna na skladištu
12890304
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
TK35N65W,S1F Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakovanje
Tube
Serije
DTMOSIV
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
650 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
35A (Ta)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
80mOhm @ 17.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.5V @ 2.1mA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
4100 pF @ 300 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
270W (Tc)
Radna temperatura
150°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Dobavljač uređaja Paket
TO-247
Paket / slučaj
TO-247-3
Osnovni broj proizvoda
TK35N65
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički listovi
Dodatne informacije
Standardni paket
30
Ostala imena
TK35N65W,S1F(S
TK35N65W,S1F-DG
TK35N65WS1F
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
BROJ DELOVA
IXFX80N60P3
Proizvođač
IXYS
KOLIČINA DOSTUPNA
3
DiGi BROJ DELOVA
IXFX80N60P3-DG
JEDINIČNA CENA
11.27
TIP ZAMENE
Similar
BROJ DELOVA
IXFX64N60P3
Proizvođač
IXYS
KOLIČINA DOSTUPNA
1060
DiGi BROJ DELOVA
IXFX64N60P3-DG
JEDINIČNA CENA
8.28
TIP ZAMENE
Similar
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
TPWR8503NL,L1Q
MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP
TPC6011(TE85L,F,M)
MOSFET N-CH 30V 6A VS-6
2SJ377(TE16R1,NQ)
MOSFET P-CH 60V 5A PW-MOLD