Proizvođač Broj proizvoda:
TK39J60W,S1VQ
Product Overview
Proizvođač:
Toshiba Semiconductor and Storage
Broj dela:
TK39J60W,S1VQ-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 38.8A TO3P
Detaljan opis:
N-Channel 600 V 38.8A (Ta) 270W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
Inventar:
22 kom. Nova originalna na skladištu
12890771
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
Qv7J
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
TK39J60W,S1VQ Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakovanje
Tube
Serije
DTMOSIV
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
600 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
38.8A (Ta)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
65mOhm @ 19.4A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.7V @ 1.9mA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
4100 pF @ 300 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
270W (Tc)
Radna temperatura
150°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Dobavljač uređaja Paket
TO-3P(N)
Paket / slučaj
TO-3P-3, SC-65-3
Osnovni broj proizvoda
TK39J60
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički listovi
Dodatne informacije
Standardni paket
25
Ostala imena
TK39J60WS1VQ
TK39J60W,S1VQ(O
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
BROJ DELOVA
FCA47N60-F109
Proizvođač
onsemi
KOLIČINA DOSTUPNA
455
DiGi BROJ DELOVA
FCA47N60-F109-DG
JEDINIČNA CENA
6.12
TIP ZAMENE
Similar
BROJ DELOVA
FCA47N60
Proizvođač
onsemi
KOLIČINA DOSTUPNA
849
DiGi BROJ DELOVA
FCA47N60-DG
JEDINIČNA CENA
6.35
TIP ZAMENE
Similar
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
TPH1R403NL,L1Q
MOSFET N-CH 30V 60A 8SOP
TK15S04N1L,LQ
MOSFET N-CH 40V 15A DPAK
TK10A60D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS