Proizvođač Broj proizvoda:
TK3R1A04PL,S4X
Product Overview
Proizvođač:
Toshiba Semiconductor and Storage
Broj dela:
TK3R1A04PL,S4X-DG
Opis:
MOSFET N-CH 40V 82A TO220SIS
Detaljan opis:
N-Channel 40 V 82A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventar:
61 kom. Nova originalna na skladištu
12889778
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
TK3R1A04PL,S4X Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakovanje
Tube
Serije
U-MOSIX-H
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
40 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
82A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
4.5V, 10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
3.8mOhm @ 30A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
2.4V @ 500µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
63.4 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
4670 pF @ 20 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
36W (Tc)
Radna temperatura
175°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Dobavljač uređaja Paket
TO-220SIS
Paket / slučaj
TO-220-3 Full Pack
Osnovni broj proizvoda
TK3R1A04
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički listovi
Dodatne informacije
Standardni paket
50
Ostala imena
TK3R1A04PLS4X
TK3R1A04PL,S4X(S
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
SSM5H16TU,LF
MOSFET N-CH 30V 1.9A UFV
2SK2231(TE16R1,NQ)
MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD
2SK2719(F)
MOSFET N-CH 900V 3A TO3P
