IRF840PBF-BE3
Proizvođač Broj proizvoda:

IRF840PBF-BE3

Product Overview

Proizvođač:

Vishay Siliconix

Broj dela:

IRF840PBF-BE3-DG

Opis:

MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Detaljan opis:
N-Channel 500 V 8A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventar:

3369 kom. Nova originalna na skladištu
12939321
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI

IRF840PBF-BE3 Tehničke specifikacije

Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Vishay
Pakovanje
Tube
Serije
-
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
500 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
8A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
850mOhm @ 4.8A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
1300 pF @ 25 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
125W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Dobavljač uređaja Paket
TO-220AB
Paket / slučaj
TO-220-3
Osnovni broj proizvoda
IRF840

Tehnička dokumentacija i dokumenti

Tehnički listovi
Power MOSFET

Dodatne informacije

Standardni paket
100
Ostala imena
742-IRF840PBF-BE3

Ekoloska i izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Povezani proizvodi
vishay-siliconix

SUD23N06-31-BE3

MOSFET N-CH 60V 9.1A/21.4A DPAK

microchip-technology

APT9M100S

MOSFET N-CH 1000V 9A D3PAK

vishay-siliconix

IRFR110TRPBF-BE3

MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK

microchip-technology

APT12080LVRG

MOSFET N-CH 1200V 16A TO264