IRFBC30STRR
Proizvođač Broj proizvoda:

IRFBC30STRR

Product Overview

Proizvođač:

Vishay Siliconix

Broj dela:

IRFBC30STRR-DG

Opis:

MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
Detaljan opis:
N-Channel 600 V 3.6A (Tc) 3.1W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventar:

RFQ Online
12959466
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI

IRFBC30STRR Tehničke specifikacije

Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Vishay
Pakovanje
-
Serije
-
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
600 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
3.6A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
2.2Ohm @ 2.2A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
660 pF @ 25 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
3.1W (Ta), 74W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
TO-263 (D2PAK)
Paket / slučaj
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovni broj proizvoda
IRFBC30

Dodatne informacije

Standardni paket
800

Ekoloska i izvozna klasifikacija

RoHS Status
RoHS non-compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternativni modeli

BROJ DELOVA
IRFBC30STRLPBF
Proizvođač
Vishay Siliconix
KOLIČINA DOSTUPNA
52
DiGi BROJ DELOVA
IRFBC30STRLPBF-DG
JEDINIČNA CENA
1.29
TIP ZAMENE
Parametric Equivalent
DIGI Sertifikacija
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Povezani proizvodi
vishay-siliconix

IRFR210TRR

MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK

vishay-siliconix

SI1431DH-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 1.7A SC70-6

vishay-siliconix

IRF630S

MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK

vishay-siliconix

SI7450DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8