Proizvođač Broj proizvoda:
IRFD010
Product Overview
Proizvođač:
Vishay Siliconix
Broj dela:
IRFD010-DG
Opis:
MOSFET N-CH 50V 1.7A 4DIP
Detaljan opis:
N-Channel 50 V 1.7A (Tc) 1W (Tc) Through Hole 4-HVMDIP
Inventar:
12912859
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
IRFD010 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Vishay
Pakovanje
-
Serije
-
Status proizvoda
Obsolete
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
50 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
1.7A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
200mOhm @ 860mA, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
250 pF @ 25 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
1W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Dobavljač uređaja Paket
4-HVMDIP
Paket / slučaj
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Osnovni broj proizvoda
IRFD010
Dodatne informacije
Standardni paket
2,500
Ostala imena
*IRFD010
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
RoHS non-compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
SI7366DP-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8
SI4430BDY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
IXTU01N100
MOSFET N-CH 1000V 100MA TO251
