Proizvođač Broj proizvoda:
SI2333DDS-T1-GE3
Product Overview
Proizvođač:
Vishay Siliconix
Broj dela:
SI2333DDS-T1-GE3-DG
Opis:
MOSFET P-CH 12V 6A SOT23-3
Detaljan opis:
P-Channel 12 V 6A (Tc) 1.2W (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Inventar:
16839 kom. Nova originalna na skladištu
12917664
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
SI2333DDS-T1-GE3 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Vishay
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
TrenchFET®
Status proizvoda
Active
FET Tip
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
12 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
6A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Srs Na (maks) @ id, vgs
28mOhm @ 5A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
35 nC @ 8 V
Vgs (Maks)
±8V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
1275 pF @ 6 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
1.2W (Ta), 1.7W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
SOT-23-3 (TO-236)
Paket / slučaj
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Osnovni broj proizvoda
SI2333
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
Tehnički listovi
HTML Tehnička dokumentacija
Dodatne informacije
Standardni paket
3,000
Ostala imena
SI2333DDS-T1-GE3CT
SI2333DDS-T1-GE3TR
SI2333DDST1GE3
SI2333DDS-T1-GE3DKR
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
SI8429DB-T1-E1
MOSFET P-CH 8V 11.7A 4MICROFOOT
SI3483CDV-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
SQJA84EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 80V 46A PPAK SO-8
