Proizvođač Broj proizvoda:
SIHU5N50D-E3
Product Overview
Proizvođač:
Vishay Siliconix
Broj dela:
SIHU5N50D-E3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251AA
Detaljan opis:
N-Channel 500 V 5.3A (Tc) 104W (Tc) Through Hole TO-251AA
Inventar:
12920810
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
SIHU5N50D-E3 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Vishay
Pakovanje
Tube
Serije
-
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
500 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
5.3A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
1.5Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
325 pF @ 100 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
104W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Dobavljač uređaja Paket
TO-251AA
Paket / slučaj
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Osnovni broj proizvoda
SIHU5
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Dodatne informacije
Standardni paket
3,000
Ostala imena
SIHU5N50D-E3CT-DG
SIHU5N50D-E3CT
SIHU5N50DE3
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
NTP6448ANG
MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB
SIHG22N60AEL-GE3
MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC
FQD2N50TM
MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK
