Proizvođač Broj proizvoda:
SI7772DP-T1-GE3
Product Overview
Proizvođač:
Vishay Siliconix
Broj dela:
SI7772DP-T1-GE3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 35.6A PPAK SO-8
Detaljan opis:
N-Channel 30 V 35.6A (Tc) 3.9W (Ta), 29.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventar:
5880 kom. Nova originalna na skladištu
13059398
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
SI7772DP-T1-GE3 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Vishay
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
SkyFET®, TrenchFET®
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Deo Status
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
30 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
35.6A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
4.5V, 10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
13mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.5V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
1084 pF @ 15 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
3.9W (Ta), 29.8W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
PowerPAK® SO-8
Paket / slučaj
PowerPAK® SO-8
Osnovni broj proizvoda
SI7772
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
Tehnički listovi
HTML Tehnička dokumentacija
Dodatne informacije
Standardni paket
3,000
Ostala imena
SI7772DPT1GE3
SI7772DP-T1-GE3CT
SI7772DP-T1-GE3TR
SI7772DP-T1-GE3DKR
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
SI3483DDV-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 6.4A/8A 6TSOP
SIDR390DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 69.9A/100A PPAK
SI2392ADS-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT23-3