Proizvođač Broj proizvoda:
SIA445EDJ-T1-GE3
Product Overview
Proizvođač:
Vishay Siliconix
Broj dela:
SIA445EDJ-T1-GE3-DG
Opis:
MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Detaljan opis:
P-Channel 20 V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
Inventar:
619 kom. Nova originalna na skladištu
13061995
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
SIA445EDJ-T1-GE3 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Vishay
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
TrenchFET®
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Deo Status
Active
FET Tip
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
20 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
12A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Srs Na (maks) @ id, vgs
16.5mOhm @ 7A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1.2V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
72 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±12V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
2130 pF @ 10 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
3.5W (Ta), 19W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
PowerPAK® SC-70-6
Paket / slučaj
PowerPAK® SC-70-6
Osnovni broj proizvoda
SIA445
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
Tehnički listovi
HTML Tehnička dokumentacija
Dodatne informacije
Standardni paket
3,000
Ostala imena
SIA445EDJ-T1-GE3TR
SIA445EDJ-T1-GE3DKR
SIA445EDJT1GE3
SIA445EDJ-T1-GE3CT
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
BROJ DELOVA
DMP2021UFDF-7
Proizvođač
Diodes Incorporated
KOLIČINA DOSTUPNA
53414
DiGi BROJ DELOVA
DMP2021UFDF-7-DG
JEDINIČNA CENA
0.22
TIP ZAMENE
MFR Recommended
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
SI9433BDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 4.5A 8SO
SI7322DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 18A PPAK1212-8
SI8469DB-T2-E1
MOSFET P-CH 8V 4.6A 4MICROFOOT
