Proizvođač Broj proizvoda:
SIHH21N60EF-T1-GE3
Product Overview
Proizvođač:
Vishay Siliconix
Broj dela:
SIHH21N60EF-T1-GE3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 19A PPAK 8 X 8
Detaljan opis:
N-Channel 600 V 19A (Tc) 174W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
Inventar:
2 kom. Nova originalna na skladištu
13063075
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
SIHH21N60EF-T1-GE3 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Vishay
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Deo Status
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
600 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
19A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
185mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
2035 pF @ 100 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
174W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
PowerPAK® 8 x 8
Paket / slučaj
8-PowerTDFN
Osnovni broj proizvoda
SIHH21
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
Tehnički listovi
HTML Tehnička dokumentacija
Dodatne informacije
Standardni paket
3,000
Ostala imena
SIHH21N60EF-T1-GE3CT
SIHH21N60EF-T1-GE3DKR
SIHH21N60EF-T1-GE3TR
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
SIHB30N60AEL-GE3
MOSFET N-CH 600V 28A TO263
SIHB24N65E-E3
MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
SIHP20N50E-GE3
MOSFET N-CH 500V 19A TO220AB
